碳化硅载盘-6寸9位方盘

碳化硅载盘-6寸9位方盘产品介绍

碳化硅载盘，也称碳化硅托盘、SIC托盘，碳化硅蚀刻盘，ICP蚀刻盘。在半导体行业具有广泛应用，CVD、RTP/RTA、真空溅射、刻蚀、蒸镀、气体沉淀等，比如，在对衬底进行刻蚀时，需通过碳化硅载盘承载半导体衬底。

碳化硅具有耐高温（1500℃）、高比刚度、低的热膨胀系数以及极佳的化学惰性，使其在光伏、半导体、新能源、航空航天工业中高温、高腐蚀、高精度工况中应用广泛。如碳化硅研磨盘应用于硅片抛光领域，比传统的刚玉抛光盘寿命提高2-3倍。碳化硅筒体耐高温、耐磨应用在高温硅料生产的传输通道，在生产过程中不会污染硅料，保证产品品质。

碳化硅载盘材质成分是纯SiC（纯度＞99.9%），与石墨基载盘相比，其使用寿命是后者的四倍，且长期使用不变形，稳定性好，能够耐各种强酸强碱化学试剂腐蚀（比如FH酸、浓H2SO4）。SiC载盘还具有优秀的导热性、低膨胀系数，抗热冲击性佳，耐电浆冲击性等特点。

碳化硅载盘是采用高纯超细碳化硅微粉，通过静压工艺成型、经2450℃高温烧结而制成。可根据用户设计图纸要求进行外径、厚度尺寸，穴位数量、尺寸、取片槽位置和形状进行精加工，以满足用户的具体使用要求。

碳化硅载盘主要特点有：

1.耐高温--1800℃温度下正常使用；

2.高热导性--和石墨材料的导热性相当；

3.硬度高--硬度仅次于金刚石、立方氮化硼；

4.耐腐蚀--强酸、强碱对其无任何腐蚀，抗腐蚀性优于碳化钨和氧化铝；

5.重量轻--密度3.10g/cm3,与铝接近；

6.不变形--极小的热膨胀系数；

7.抗热震--该材料可承受急剧的温度变化，抗热冲击，耐急冷急热，性能稳定。

碳化硅载盘主要应用领域：

LED芯片制造中的RTP/RTA快速高温热处理工艺、CVD、MOCVD、真空磁控溅射、刻蚀、蒸镀、气体沉淀。

基本参数