RTD Wafer晶圆测温系统
RTD Wafer晶圆测温系统利用自主研发的核心技术将RTD传感器集成到晶圆表面，实时监控和记录晶圆在制程过程中的温度变化数据，为半导体制造过程提供一种高效可靠的方式来监测和优化关键的工艺参数。
产品优势：
1. ±0.05℃高精度测温监测：RTD传感器能够提供高精度的温度读数，确保半导体制造过程中的关键步骤能够在最佳温度下进行，从而保证产品质量至关重要。
2. 实时测温数据获取：通过RTD Wafer，可以实时监测晶圆在热处理和刻蚀过程中的温度变化，实现即时调整工艺参数，优化生产效率。
4. 测温数据分析能力：测量后的数据通过软件分析和优化工艺参数，提高产量和产品质量。
5. 支持过程调整与验证：通过分析在产品工艺条件下收集的温度数据实现调整蚀刻和其他关键工艺步骤的条件，以确保最佳性能。
6. 全面热分布区监测：在晶圆上支持多达81个位置同时进行温度监测，从而获得全面的热分布图。
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RTD Wafer 晶圆测温系统 |
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Wafer尺寸 |
2”、3”、4”、6”、8”、12” |
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测温点数 |
1-81 |
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温度范围 |
-40-250℃(-40-15℃；15-250℃) |
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温度精度 |
±0.05℃ |
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sensor to sensor |
±0.05℃ |
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测温元件 |
RTD |
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晶圆材质 |
硅片/ 蓝宝石等 |
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通信方式 |
1、有线数据采集+无线数据传送到软件平台； 2、无线数据采集+无线数据传送到软件平台； |
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采样频率 |
1Hz |
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测温软件 |
测温专用软件，实时显示温度场剖面图及实时升温曲线图 |
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配套主机 |
测温系统配套主机 |
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应用场景 |
前段刻蚀Front Track Systems、静电卡盘（ESC）、 加热板 Hot Plates、致冷盘 Cold Plates、 光刻 HMDS Chambers、涂胶Photoresist Coating、 显影机Developer、后端探测 Backend detection |
温度数据采集卡
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项目 |
TCW Wafer温度数据采集卡
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RTD Wafer温度数据采集卡
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On Wafer温度数据采集卡
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温度分辨率 |
0.1℃ |
0.05℃ |
0.1℃ |
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测量精度 |
±1.1℃/0.4%
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±0.05℃ |
±0.1℃ |
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通道数 |
1-34 |
1-97 |
1-81 |
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传感器接口 |
DB37 |
DB62/ DB78 |
无线传输 |
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输入电压 |
5V DC |
5V DC |
5V DC |
