今年7月25日，三星电子在韩国京道华城公园V1生产线(EUV专用)使用新一代围绕围栏的围栏(GateAllAround，GAA)晶体管制节点3nm芯片晶圆OEM产品出厂仪式举行。不到4个月，韩国媒体网站透露，三星3nm制程的产量非常低，不到20%。目前，5nm和4nm节点的产量问题还没有得到改善。
事实上，自2000年初以来，三星电子一直在研究GAA晶体管的结构。自2017年以来，它已正式应用于3纳米技术，并于今年6月宣布启动使用GAA技术的3纳米技术的大规模生产。它是世界上第一家使用GAA晶体管结构进行晶圆制造的OEM。据报道，中国一家矿山机械芯片公司PanSemi警察半导体）是三星电子的第一个客户，也可能是其唯一的客户【无线晶圆测温系统】
据报道，为了解决产量问题，三星电子找到了美国的Siliconfrontlinetechnology，向该公司寻求帮助。据说目前的进展还不错。
那么，三星电子在GAA上花了20多年的时间，为什么产量问题没有得到解决呢？问题在哪里？让我们从芯片最基本模块晶体管结构的发展开始，然后看看有什么反应。
晶体管结构的发展历史
半导体芯片其实是很多晶体管(Transistor)晶体管实际上是一个小开关。晶体管代表0或1，即所谓的位元。在20nm以上的工艺中，使用的晶体管被称为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET:MetaOxideSemiconductorFET):20nm~3nm，采用式场效应晶体管3nm以下，选用全围绕格栅极场效应晶体管(GAAFET:GateAllAroundFieldEffectTransistor)。
为什么会这样演变？根本原因是晶体管的工作原理。在晶体管内部，科学家们定义了网格的长度(GateLength)这个概念是电子流通的方向，短边是所谓的工艺【无线晶圆测温系统】
原理是在金属栅极上增加一个电压，以调节电子的导通和关闭。电子可以导通过去，代表1，如果关闭，则代表0。该开关由栅极施加的电压控制，但电场主要影响接触面。如果栅极的长度越来越小，粉红色的接触面就会越来越小。当它小到一个水平时，当你想注意电子时，它就不会关闭。如果你不能锁定电子，你就会偷偷溜过去。因此，先进工艺中的漏电流会变大。
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