GaN快速退火炉使用方便，易于操作，加热元件采用红外灯管，加热速度快，节省时间。滑动法兰简化了样品的装卸过程，操作方便，可快速获得实验结果，省去了重复的法兰安装过程，减少了炉管安装造成的损坏。那么你知道它该有怎样的配置和特点吗？
GaN快速退火炉适用于CVD工艺，例如碳化硅涂层，陶瓷基板电导率测试，ZnO纳米结构的受控生长，陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结和其他实验。此CVD系统配置：1200度开放式真空管式炉（可选单温度区，双温度区）。多通道质量流量控制系统，真空系统（可以选择中真空或高真空）。
1、控制电路采用模糊PID程序控制技术，具有温度控制精度高，热惯性低，温度超调，性能可靠，操作简单的特点。
2、气路快速连接法兰结构采用公司*的知识产权设计，提高了操作的便利性。
3、中真空系统具有自动控制真空度上限和下限的功能，高真空系统使用高压耐冲击分子泵。
GaN快速退火炉易于操作，加热元件采用红外灯管，加热速度快，节省时间。滑动法兰简化了样品的装卸过程，操作方便。实验结果可以很快获得，并且省去了重复的方法，蓝色的安装过程减少了由于安装引起的炉管损坏。