碳化硅（SiC）是制造半导体器件及材料的优良材料之一，但其在工艺流程中，会不可避免产生晶格缺陷等情况，而快速退火能够实现金属合金、杂质激活、晶格修复等目的。在近些年高速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域，快速退火发挥了无法取代作用。
01快速退火在化合物半导体中的应用【快速退火炉】
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成中的一种化合物半导体材料，具备硬度高、热导率高、热稳定性好等优点，在半导体领域具备广泛的应用前景。
由于碳化硅器件的部分工艺要高温下完成，这就给器件的制造和封测带来了比较大的难度。比如，在掺杂步骤中，传统式硅基材料能用扩散的方式完成掺杂，但是由于碳化硅扩散温度远高于硅，因此需要采用高温离子注入的形式。而高能量的离子注入会破坏碳化硅材料原先的晶格结构，所以必须采用快速退火工艺修复离子注入所带来的晶格损伤，消除或减轻晶体应力和缺陷，提高结晶质量。
02什么叫快速退火炉（RTPSYSTEM）【快速退火炉】
快速退火炉是运用卤素红外灯作为热源，通过极快的升温速率，将材料在极短的时间内从室温加热到300℃-1250℃，从而消除材料内部有些缺陷，改善产品性能。
03快速退火炉产品介绍
全自动双腔快速退火炉
RTP-DTS-8是款全自动双腔快速退火设备，可兼容6-8英寸晶圆Wafer。
产品的优势
✅全自动双腔设计，有效提高产能
✅最高的温度可达1250℃，具备超高温场均匀性
✅具备稳定的温度重现性
✅可以满足SIC量产化制程需求
半自动快速退火炉
RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，可兼容4-12英寸晶圆Wafer。
产品的优势
✅选用红外卤素灯管加热，冷却选用风冷；
✅快速PID温控，可精准控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；
✅选用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，防止退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；
✅大气与真空处理方式均可选择，完成进气前气体净化处理；
✅标配两组工艺气体，最多可扩展至6组工艺气体。
桌面型快速退火炉【快速退火炉】
RTP-TABLE-6是款桌面型快速退火设备，标配三组工艺气体，可最大兼容6英寸晶圆Wafer。
产品优势
✅红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；
✅采用快速PID温控，可精准控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；
✅采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；
✅大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理。
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