产品引言【TC Wafer】
等离子体刻蚀是一种将化学和物理过程结合在一起的加工技术，以在材料表面形成精确的图案和结构。
温度对等离子蚀刻的效果有着重要影响。
腐蚀速率：温度能够影响等离子体中离子的能量和迁移能力，因而对腐蚀速率产生影响。一般而言，温度升高会增加离子的动能，从而导致腐蚀速率增加。
温度的改变可能会对不同材料的蚀刻速率产生影响，从而对选择性产生影响。在某些情况下，调整温度可以优化特定材料的选择性蚀刻。
温度的变化可能会对表面的化学反应速率产生影响，从而对蚀刻后的表面质量产生影响。若温度过高或过低，可能会导致表面结构不理想。
边缘效应是指温度改变可能导致材料边缘区域的蚀刻速率与中心区域不同，从而影响结构的精确度和均匀性。
在等离子蚀刻过程中，温度控制起着关键的作用。【TC Wafer】
等离子蚀刻过程中，温度控制尤为重要，因为温度的变化可能对蚀刻结果产生影响。对温度进行合理的控制，可以带来以下好处：
稳定性是蚀刻过程的一个重要因素，其中温度的稳定对于蚀刻速率的波动和加工结果的一致性有着积极的影响。
选择性控制是指在特定温度条件下，能够实现对特定材料进行选择性蚀刻，从而优化图案制备过程。
产品的质量：通过控制温度，可以减少产品表面的缺陷和边缘效应，从而提高产品的质量和一致性。
工艺的可重复性可以通过维持稳定的温度条件来确保在不同批次或不同设备下的蚀刻过程具有一致性。
产品概述
【TC Wafer】等离子蚀刻晶圆温度测量系统可以记录等离子蚀刻工艺环境对真实工艺条件下生产晶圆的影响。该系统使用高精度温度传感器实现对晶圆整体温度的监测，这对于控制导体蚀刻工艺的CD均匀性非常重要。通过测量与产品工艺接近的温度数据，可以帮助工艺工程师调整蚀刻工艺条件，验证和匹配腔体以及PM后的验证等工作。
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