快速退火炉（RapidThermalProcessing，RTP）采用红外辐射加热技术，能够实现样品的快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，能够达到极好的温场均匀度，可用工艺包括和离子注入工艺配合使用以达到晶圆掺杂、金属薄膜沉积后金属硅化物烧结、晶圆表面改性（氧化、氮化）等。
芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的生产加工过程，在空白硅片上完成电路的处理，在出厂产品是完整的圆形硅片。后道是指封装和测试的一个过程，在封测厂中将圆形的硅片切割成独立的芯片颗粒，进行外壳的封装，最后完成终端测试，在出厂为芯片成品。
【RTP快速退火炉】
集成电路前道芯片工艺热处理流程
在前道工艺的离子注入环节中，高能掺杂物离子（硼、磷等）对晶圆表面的硅晶体结构造成破坏。所以在离子注入后必须充分运用加热退火工艺对晶格的损伤进行处理，使其恢复单晶结构并激活掺杂物，当掺杂原子在单晶晶格位置时，才能更好的供应电子或空穴作为传导电流的核心载流子。
所以，快速退火炉在半导体工艺设备中是不可缺少的一份子。即使快速退火炉属于相对来说技术难度较低领域，但早期的的市场竞争中，还是被欧美日韩等外资企业占据着主导地位。特别是高端的快速退火炉，我国科研单位和高等院校使用需求常常会被外资企业严苛的条件和高昂的价格所限制。【RTP快速退火炉】
以美国为首的西方国家对我国的限制打击早已有之，96年签订了《瓦森纳协议》已经成为主要是针对中国实行“落差战略”的可怕武器。这也是导致中国著名的“908工程”和“909工程”的未能达到预期的目标。现如今中国因为缺少原创技术，高级技术设备被逐层加锁。特别是半导体行业，由于某些高端的半导体设备的限制入口，中国高端集成电路（芯片）严重国外进口。根据国家统计局数据显示，2021年，我国进口的集成电路（芯片），达到27935亿元！而且增速达到了15.4%！
【RTP快速退火炉】
2015年3月5日，李克强在全国两会上作《政府工作报告》时首提“中国制造2025”的宏大计划。2015年3月25日，李克强研究部署国务院常务会议，部署加快推进实施“中国制造2025”，实现制造业升级。也正是这次国务院常务会议，审议通过了《中国制造2025》。2015年5月19日，国务院正式印发《中国制造2025》。【RTP快速退火炉】
中国制造2025》的目的就是为了改变我国从低端制造商到高端生产商的认识，改变国内工业水平大而不强的局