碳化硅载盘（也成碳化硅托盘）在半导体行业具有广泛应用，CVD、RTP/RTA、真空溅射、刻蚀、蒸镀、气体沉淀等，比如，在对衬底进行刻蚀时，需通过碳化硅载盘承载半导体衬底。
碳化硅载盘材质成分是纯SiC（纯度＞99.9%），与石墨基载盘相比，其使用寿命是后者的四倍，且长期使用不变形，稳定性好，能够耐各种强酸强碱化学试剂腐蚀（比如FH酸、浓H2SO4）。SiC载盘还具有优秀的导热性、低膨胀系数，抗热冲击性佳，耐电浆冲击性等特点。
碳化硅载盘是采用高纯超细碳化硅微粉，通过静压工艺成型、经2450℃高温烧结而制成。可根据用户设计图纸要求进行外径、厚度尺寸，穴位数量、尺寸、取片槽位置和形状进行精加工，以满足用户的具体使用要求。
8基本参数
8主要优势与特点
碳化硅载盘，可根据不同工艺其名称不一样，比如，碳化硅刻蚀盘，ICP刻蚀盘，LED刻蚀用碳化硅托盘（SIC托盘）等。其主要功能特点如下：
►耐高温--1800℃温度下正常使用；
►高热导性--和石墨材料的导热性相当；
►硬度高--硬度仅次于金刚石、立方氮化硼；
►耐腐蚀--强酸、强碱对其无任何腐蚀，抗腐蚀性优于碳化钨和氧化铝；
►重量轻--密度3.10g/cm3,与铝接近；
►不变形--极小的热膨胀系数；
►抗热震--该材料可承受急剧的温度变化，抗热冲击，耐急冷急热，性能稳定。
8典型应用
·LED芯片制造中的RTP /RTA快速高温热处理工艺
·CVD、MOCVD、真空磁控溅射
·刻蚀、蒸镀、气体沉淀