介绍：
【快速退火炉】是利用卤素红外灯作为热源，利用极快的升温速率，将晶圆或是材料在很短的时间内加热至300℃-1200℃，进而消去晶圆或是原材料内部某些缺点，改进产品特性。
快速退火炉采用先进微电脑自动控制系统，选用PID闭环控制温度，能够达到极高的控温精度和温度均匀性，而且可配置真空腔体，也可以根据客户加工工艺要求配备多路气体。
技术背景：
快速退火炉是当代大规模集成电路生产工艺过程中的主要设备。伴随着集成电路技术迅猛发展，进行快速退火炉系统的自主研发对国内开发与科学研究拥有自主知识产权的快速退火炉设施具有十分重大的战略意义和应用价值。
现阶段快速退火炉的供货商主要是集中于欧、美与中国台湾地区，中国大陆都还没可替代产品，市场都由进口产品主导，设备国产化亟待一个新的自主创新和创新。
伴随着近些年中美贸易摩擦产生的影响，我国越来越注重科技技术改革创新与内需增长，政府出台了很多相关的产业政策，对于国产快速退火炉设备在相关行业产线上的占比提出了一定要求，给国内的半导体设备厂商带来了巨大机遇，预测未来几年时间国内退火炉设施市场会有快速的内需增长要求。
技术特点：
快速退火炉（芯片热处理设备）普遍使用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品生产。和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，利用快速热处理工艺以提升晶体结构和光电性能指标，具备技术指标高、工艺复杂、专用性强的特性。
快速热处理工艺(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；
离子注入/接触退火；
金属合金；
热氧化处置；
化合物合金（砷化镓、氮化物等）；
多晶硅退火；
太阳能电池片退火；
高温退火；
高温扩散。
设施介绍：
【快速退火炉】主要是由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几个部分组成。
真空腔室：真空腔室是快速退火炉的工作空间，晶圆从这里实现快速热处理工艺。
加热室：加热室以多个红外灯管为加热元件，以耐高温合金为框架、高纯石英为主体。
进气系统：真空腔室尾部有进气孔，精确控制的空气流量用于达到某些特殊工艺的气体要求。
真空系统：在真空泵和真空腔室之间装有高真空电磁阀，能有效保证腔室真空度，也避免气体倒灌污染腔室内被处理工件。
温度控制系统：温度控制系统由温度传感器、温度控制器、电力调整器、可编程控制器、PC及各种传感器等构成。
气冷系统：真空腔室的冷却一般通过进气系统向腔室内充入惰性气体，来加速冷却被热处理的工件，达到工艺使用需求。
水冷系统：水冷系统具体包含真空腔室、加热室、各个部位密封圈的冷却用水。
硬件配置及时更换：
1.加热灯管及时更换：加热灯管超出使用期限或无法点亮时候需要及时更换。加热灯管的使用期为3000h，高温状态下也会降低它的使用寿命。
2.真空泵油及时更换：在使用中，请每个季度固定观察1次真空油表，当油表显示油量低于1/3时请加上真空泵润滑油到油表半数以上。
3.热电偶及时更换：当热电偶测温出现异常或是毁坏时候需要及时更换。热电偶的正常运行使用寿命为3个月，随环境因素降低其使用寿命。
4.O型圈的及时更换：O型圈表面是明显破损或无法气密时候需要及时更换，其使用寿命受外力作用以及环境温度因素的影响。